Hosokawa Micron Material

集束イオンビーム加工観察装置FIB、断面試料作製装置CP、走査電子顕微鏡SEM、電界放出型走査電子顕微鏡FE-SEM、透過電子顕微鏡TEM

集束イオンビーム加工観察装置
FIB

断面試料作製装置
CP

走査電子顕微鏡
SEM

電界放出型走査電子顕微鏡
FE-SEM

透過電子顕微鏡
TEM

• シリコン基盤の上にカーボンDepo膜を作製する（赤色矢印）。
• カーボンDepo膜を残し、厚さ1μmまで（赤色矢印）両側から（水色矢印）切削させる。
• シリコン基盤を傾斜し、赤線部でカットする。
• シリコン基盤を水平に戻し、厚さ0.1μm程度まで（赤色矢印）加工する。
• 赤線部をカットし、先端を尖らせたガラスプローブにて薄膜をピックアップする。※TEM観察は緑色矢印の面。